12月25日，新加坡国立大学陈景升教授来我院作了题为 《Antiferromagnets with large spin orbit torque efficiency and Electrical switching of single magnetic layer with perpendicular anisotropy》的学术报告。

陈景升教授介绍了电场控制磁特性的重要性及其团队在基于自旋转移力矩（spin-orbit torque 简称SOT）效应器件上所取得的研究成果。陈景升教授认为，磁性材料在大规模的磁存储和逻辑电路中有很好的应用前景，而阻碍其发展的是电流难以控制磁特性这一问题。他还介绍了基于L10-IrMn材料的单层膜SOT效应，成功地用电流实现了磁矩的反转并大大提高了SOT的效率；同时，其团队还发现了L10-FePt材料也具有SOT效应，并用这种材料将反转电流密度下降到了7.0×10⁶ A/cm²，降低了器件的能耗。

报告会由董凯锋教授主持，我院部分教师和研究生参加了报告会。学术报告后，陈景升教授与我院敏感材料与传感技术科研团队师生进行了交流讨论。在交流中，科研团队展示了（200）取向NiFe薄膜的磁特性和反常霍尔效应测量结果及用OOMMF微磁学仿真斯格明子和其在逻辑器件中的应用研究现状。陈景升教授肯定了我们的科研进展，并就某些问题展开讨论。